UGB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | UGB8ATHE3/81 |
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Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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800+ | $0.741 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 8A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 50V |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB |
Geschwindigkeit | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 30ns |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Diodentyp | Standard |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10µA @ 50V |
Strom - Richt (Io) | 8A |
Kapazität @ Vr, F | - |
UGB8ATHE3/81 Einzelheiten PDF [English] | UGB8ATHE3/81 PDF - EN.pdf |
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
BRIDGE RECT 1P 10.5KV 1A UGB-1
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() UGB8ATHE3/81Vishay Semiconductor Diodes Division |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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